有机热电材料作为未来清洁能源发展的主要方向之一，近年来取得了长足的发展。其中，p-型（空穴传输）半导体材料电导率已经高达2000 S cm^-1 ，但是n-型（电子传输）半导体材料的发展却相对滞后，这严重限制了有机热电材料的进一步应用。因此，发展低成本和性能优异的热电材料势在必行。

近日，安徽师范大学史永强课题组采取以吡嗪环为主体，引入氰基取代基的策略，设计并合成出两个结构简单的缺电子构建单元CNPz和DCNPz。并在其基础上合成了两种受体-受体型聚合物P(DPP-CNPz)和P(DPP-DCNPz)。单体CNPz和DCNPz缺电子单元的合成只需要由廉价原料进行一步反应和三步反应得到，可以为下一步热电材料实际应用提供借鉴意义。

吡嗪和氰基强吸电子单元的引入，实现了材料的n-型电子传输性能。氰基的引入没有破坏分子的共平面性，这些优点使聚合物材料器件性能也格外优越。在N-DMBI掺杂剂掺杂下，P(DPP-CNPz)和P(DPP-DCNPz)的最佳电导率和功率因子分别为25.3 S cm^-1和41.4 μW m^-1 K^-2，以及33.9 S cm^-1和30.4 μW m^-1 K^-2。

这些结果表明，CNPz和DCNPz是一种很有前途的缺电子构建单元，其结构简单，价格低廉，同时可以获得高性能的n-型聚合物半导体。这一设计策略可以为后续设计高性能n-型有机半导体材料提供借鉴意义。