作者将胶体法制备的Cu₂S纳米晶体作为前驱体，在放电等离子体烧结（SPS）过程中，保留的十二硫醇（DDT）表面配体中的硫原子与Cu₂S纳米晶发生如下反应：1.96 Cu₂S + 0.04 C₁₂H₂₅SH → 2 Cu_1.96S + 0.04 C₁₂H₂₆，制备出单斜Cu₂S-四方Cu_1.96S纳米相异质结构。

球差电镜可以观察到单斜Cu₂S和四方Cu_1.96S两种物相清晰的界面，另外，作者通过调控表面配体的含量成功实现了两种物相比例的调控。

单斜Cu₂S-介稳四方Cu_1.96S纳米相界面中的晶格失配增加了材料声子散射，大幅度降低了Cu_2-xS材料的晶格热导率。同时，Cu_1.96S具有较高的晶体学对称性和丰富的Cu空位，可以增加材料的载流子有效质量和载流子浓度，其主导的调制掺杂效应提高了Cu_2-xS材料的载流子迁移率，实现了在保持低热导率的同时得到较高的功率因子。最终，通过对相异质结构的微调控，(Cu₂S)_0.31(Cu_1.96S)_0.69样品在932 K温度下实现了金属硫化物中最大zT值2.1，并且该样品还表现出优异的热学稳定性和循环稳定性。

该工作提供了一种材料表面配体协同调控纳米微结构的新策略，探究了纳米相异质结构调控对材料热、电输运性能的影响，为高性能热电材料的设计提供了借鉴。此外，该策略可以成功拓展到具有类似界面结构和组成的半导体纳米材料，为相工程、界面工程等结构调控策略的推广应用提供了更大的发展空间。